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씨뮬 2013 화학1

공부/화학2014. 12. 30. 00:25

 

씨뮬2nd_고3-과탐-화학1.zip

 

 

[화학Ⅰ] 양때잡.pdf

 

[화학Ⅰ]양때잡 upgrade.pdf

 

같은말 같지만, 18족에서 차이점이 분명하게 나타난다.

원자가전자- 반응에 참여하는 전자

최외각전자- 가장 바깥껍질에 있는 전자

↓:(왼쪽아래로 갈수록 커지는 것) 금속성, 원자반지름  

→↑:(오른쪽위로 갈수록 커지는 것) 비금속성, 이온화에너지, 전자친화도, 전기음성도

*이온화에너지-기체상태의 중성원자에서 전자 1개를 떼어내는데 필요(흡수)한 에너지

*전자친화도-기체상태의 중성원자가 전자 1개를 얻어 음이온이 될 때 방출하는 에너지

*전기음성도-공유결합을 하고있는 원자가 공유전자쌍을 끌어당기는 상대적 힘의 크기를 수치로 나타낸 값.

출처- http://www.cctoday.co.kr/news/articleView.html?idxno=834798


국내 연구진이 실리콘보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있어 '차세대 소재'로 주목받는 그래핀을 친환경적이고 경제적으로 생산하는 방법을 개발했다. 

미래창조과학부는 13일 중앙대 화학신소재공학부 김수영 교수와 포항공대 신소재공학과 이종람 교수가 주도한 연구팀이 그래핀 합성 후 버려지는 구리 식각용액을 전기도금 방법으로 재사용하는 방법을 개발했다고 밝혔다.

그래핀은 뛰어난 전기전도도와 투과도, 강한 기계적 내성을 갖고 있어 고가의 희귀금속인 인듐을 사용하고 깨어지기 쉬운 기존의 인듐주석산화물(ITO)을 대체할 투명전극 소재로 주목받고 있다. 다만 그래핀 합성을 위해서는 구리촉매 기판에서 그래핀을 분리하는 작업이 필요한데, 이때 사용된 구리 이온 용액을 화학처리로 폐기해야 하는 단점이 있다.

연구팀이 개발한 기술은 그래핀 합성 후 버려지는 구리 식각용액을 구리촉매 기판 합성을 위한 전기도금의 전해질로 재사용하는 방법이다.

이렇게 만들어진 그래핀으로 유기발광 다이오드와 유기 태양전지를 제작한 결과, ITO 전극을 이용 제품에 비해 발광효율은 103%, 태양광 에너지가 전기에너지로 변환되는 광전변환 효율은 98%를 나타냈다. 

김수영 교수는 "이번 연구결과를 통해 그래핀 합성 단가를 낮춰 향후 ITO를 대체할 그래핀 응용소자의 상용화를 앞당길 것으로 기대한다"고 말했다.

김일순 기자 ra115@cctoday.co.kr

 출처http://www.ekn.kr/news/articleView.html?idxno=98158





'꿈의 신소재' 그래핀을 실제 다양한 분야에 적용할 시점을 앞당길 획기적인 기술을 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다.

삼성전자 종합기술원 나노일렉트로닉스랩팀 황성우 전무와 성균관대학교 신소재공학부 황동목 교수 연구팀이 산학 협력으로 수행한 이번 연구는 세계적인 학술지 '사이언스' 게재가 결정됐으며, 중요성을 인정받아 4'사이언스 온라인 속보'(Sicence Express)에 먼저 발표됐다.

이번 연구성과는 그래핀을 '대면적' '단결정'으로 합성하는 것으로 반도체나 디스플레이 등 분야에 그래핀을 실용화하는 데 기여할 것이라는 기대를 받고 있다.

그래핀은 탄소로 이뤄진 이차원 벌집 구조의 나노물질을 말한다. 이차원 그래핀은 0.2나노미터()로 매우 얇고 실리콘보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있어서 휘고 접을 수 있는(플렉서블) 소자에 적용할 차세대 소재로 주목받는다.

그래핀을 대면적으로 생산하는 기술이 개발되기는 했지만, 대부분 다결정으로 만들어진다는 것이 한계였다. 그래핀을 응용하려면 다결정보다 단결정이 훨씬 유리하다.

대표적인 반도체 소재인 실리콘의 경우, 다결정 실리콘보다 단결정 실리콘이 전자이동도가 10배 이상 높고 균일성이 훨씬 뛰어나다.

이전까지는 '금속기판'을 사용해 단결정 그래핀을 합성하려는 시도가 있었으나 대면적으로 제작하기가 불가능하다는 한계가 있었다. 또 금속기판은 전기전도도가 너무 높아 그 위에서는 소자를 제작할 수 없다. 따라서 금속기판에서 합성한 그래핀을 다른 기판으로 옮겨야 하는데, 그 과정에서 얇은 그래핀이 쉽게 접히거나 찢어지기 일쑤다.

연구팀은 웨이퍼(반도체를 만드는 얇고 둥근 판) 크기의 대면적 그래핀을 단결정으로 합성하는 방법을 개발했다.

비결은 '게르마늄'이다. 기존에는 단결정 그래핀을 합성할 때 일반적으로 금속촉매를 사용했지만, 연구팀은 게르마늄을 표면에 입힌 실리콘 웨이퍼를 이용했다.

원자들이 한쪽으로 가지런히 정렬된 게르마늄 구조를 이용한 것이다. 게르마늄 위에 성장시키는 그래핀 씨앗(seed)들도 일정한 방향으로 연결돼 넓은 면적의 단결정 그래핀을 구성하게 된다.

또 게르마늄은 그래핀과 강하게 결합하지 않아 실리콘 웨이퍼에서 분리하기가 쉽다. 금속기판과 달리 게르마늄 반도체와 그래핀 사이에 형성된 수소 원자층이 접착력을 약화하는 것이다.

그래핀을 분리한 게르마늄 웨이퍼는 다시 그래핀 합성에 사용할 수 있어 친환경적이고 경제적이다.

이 연구는 미래부와 한국연구재단이 추진하는 '리더연구자지원사업'(창의적 연구)'선도연구센터지원사업' 등의 지원을 받아 수행됐다



http://www.ebsi.co.kr/ebs/pot/potg/BeConnected2014BookDowonload.ebs?sId=4#none


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ebsi



출처-수능특강2014



출처-ebs문제은행.


5.이온반지름

1)양이온 반지름: 금속원소의 원자가 (안정한)양이온이 되면 전자껍질수 감소반지름

2)음이온 반지름: 비금속원소의 원자가 (안정한)음이온이 되면

전자수 증가전자 사이의 반발력 증가유효핵전하감소반지름이 커진다.

Na>Na+, Cl<Cl-

 

3)이온 반지름의 비교

*같은 족 원소의 이온 반지름: 원자번호가 증가할수록 전자껍질수가 증가하므로 이온 반지름이 커짐.

Li+<Na+,F-<Cl-

*같은 주기 원소의 양이온과 음이온의 반지름: 양이온은 같은 주기 원소의 음이온보다 전자 껍질 수가 1개 적기 때문에 반지름이 작다.

Na+<Cl-

 

4)전자수가 같은 이온(등전자이온)의 이온 반지름

*전자수가 같은 양이온과 음이온의 경우 양성자 수가 다르다. 따라서 원자번호가 클수록 핵 전하가 증가하므로 이온 반지름이 작아진다.

*전자수가 같은 양이온과 음이온은 원소의 주기가 다르다.

 2주기 비금속 원소의 음이온과 3주기 금속 원소의 양이온이 네온과 전자배치가 같은 이온들이고,

3주기 비금속 원소의 음이온과 4주기 금속원소의 양이온이 아르곤과 전자 배치가 같은 이온들이다.

 

5)원자 반지름과 이온 반지름의 비교를 통한 금속 원소와 비금속 원소의 결정

*이온 반지름이 원자 반지름보다 작은 원소양이온을 형성하는 금속원소

*이온반지름이 원자반지름보다 큰 원소음이온을 형성하는 비금속원소

 

 

원자나 이온의 크기에 영향을 미치는 요인

*같은 족 원소일 경우 전자껍질이 많을수록 입자의 반지름

*전자껍질 수가 같은 경우 양성자 수가 많을수록 (원자번호가 증가할수록) 핵과 전자 사이의 인력이 커지므로 입자의 반지름

ex) Na>Mg>Al, O2->F->Na+>Mg2+>Al3+

*전자껍질의 수와 양성자 수가 같은 경우 전자수가 많을수록 전자 사이의 반발력이 커지고 유효핵전하가 감소반지름이 커진다.

O<O2-, F<F-, Cl<Cl-

*N3->O2->F->Na+>Mg2+>Al3+